2020年03月17日 22時19分
Transphorm, Inc.

トランスフォームのGaNが杭州中恒電気の効率98%を実現するパワーモジュールに採用

米カリフォルニア州ゴリータ, 2020年3月17日 - (JCN Newswire) - JEDECおよびAEC-Q101に初めて準拠した最高の信頼性の高電圧GaN(窒化ガリウム)半導体の設計・製造をリードするトランスフォームは本日、杭州中恒電気(HZZH)が超効率のGaNパワーモジュールを開発したことを発表しました。3kWのZHR483KSは、トランスフォームのGaNデバイスを使用して98%の効率を達成する、通信業界で最も効率的なGaNパワーモジュールです。受託設計生産(ODM)企業は、標準化された出力コネクタ構成を提供するZHR483KSを、同ワット数の既存のパワーモジュールと交換することで、システム全体のコストを抑えながら、高信頼性・高性能のソリューションを実現できます。

業界ベンチマークを設定
ZHR483KSは、HZZH初のGaNベースのパワーソリューションで、新製品ラインの主力製品です。モジュールの入力電圧範囲は85V-264V、出力電圧範囲は42V-58Vです。トランスフォームのTPH3205WS GaNデバイスは、インターリーブ型トーテムポール・ブリッジレスPFCに使用され、半負荷状態で98%の効率を達成します。GaNデバイスは、パワーモジュールのスイッチングおよび駆動損失を低減するため、ZHR483KSは、スーパージャンクションシリコンMOSFETを使用した従来のモジュールよりも優れた性能を発揮します。

HZZHの最高技術責任者(CTO)のDr.Guoは、次のように述べています。「当社は、お客様にとってより効率的でコスト効率の高いソリューションを開発できるパワートランジスタを探していました。私たちは、SiC(シリコンカーバイド)デバイスを検討しましたが、低電圧で所望の利点を達成できませんでした。その後、GaNメーカー数社のデバイスを精査し、最終的に、信頼性、デバイスコスト、および実装が簡単なトランスフォームのGaN FETを選定しました。」

トランスフォームのGaN FETは、標準的なTO-XXXパッケージおよびPQFNモジュールで入手可能な2チップのノーマリーオフ型デバイスであり、一般的な市販のドライバで駆動できます。現在のGen IIIファミリは、GaN半導体業界で最高の閾値電圧(4V)とゲート堅牢性(定格+/-20V)を実現します。これらの機能により、お客様は高信頼性のGaNソリューションを容易に設計し、このテクノロジーの高出力密度のメリットを享受できます。

トランスフォームのアジア販売担当バイスプレジデントのKenny Yim は、次のように述べています。「トランスフォームは、信頼性、駆動性、設計容易性、再現性という4つの重要な要素を考慮して、GaNプラットフォームの各世代を開発しています。HZZHがGaNパートナーとして当社を選んだことを誇りに思います。当社は、これら4つの要素がお客様が市場を破壊するために必要なものであると確信しています。その結果、GaNは業界記録を樹立する幅広いマルチキロワットパワーシステムに設計されています。今後の製品についてコラボレーションを継続しながら、HZZHが革新を続けていくことを期待しています。」

ZHR483KSは現在生産中です。

トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム( www.transphormusa.com )は、高電圧電力変換用途向けに、最高の性能と信頼性を備えた高電圧GaN半導体を設計・製造しています。最大規模のパワーGaN IPポートフォリオを保有するトランスフォームは、業界初のJEDECおよびAEC-Q101準拠GaN FETを生産しています。これは、設計・製作からデバイス、応用サポートに至るまで、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にする垂直統合型デバイス・ビジネス・モデルによるものです。Twitter: @transphormusa

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