低ノイズ出力・高リップル除去率・高速負荷応答特性を実現

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 当社は、新規に開発した微細CMOSプロセスを活用した、低ノイズ出力、高リップル除去率、高速負荷応答、低ドロップアウトを特長とする200mA出力のシングルLDOレギュレータを製品化しました。２０１３年１月から順次量産を開始します。
18μVrms (2.5V出力) の低ノイズ出力と、62dB (2.5V出力, f=10kHz)の高域でも優れたリップル除去率、ΔVOUT = ±65mV (IOUT = 1mA ⇔150mA, COUT=1.0μF) の高速負荷応答、 80mV ( 2.5V出力, IOUT=100mA) の低ドロップアウト特性を実現しております。
パッケージは0.79×0.79×0.5mmの超小型 WCSP4を採用し、携帯機器などの高密度実装が求められるアプリケーションに最適なLDOレギュレータです。

応用機器

携帯電話、タブレットPC、ポータブルオーディオ、デジカメ、デジタルビデオカメラなどの小型携帯機器

主な特長

（１）低ノイズ出力

VNO = 20 μVrms (標準) @ 3.0 V出力, IOUT = 10 mA, 10 Hz < f < 100 kHz
VNO = 18 μVrms (標準) @ 2.5 V出力, IOUT = 10 mA, 10 Hz < f < 100 kHz
VNO = 14 μVrms (標準) @ 1.2 V出力, IOUT = 10 mA, 10 Hz < f < 100 kHz

（２）高リップル除去率

RR = 75 dB (標準) @ 2.5 V出力, IOUT = 10 mA, f = 1 kHz
RR = 62 dB (標準) @ 2.5 V出力, IOUT = 10 mA, f = 10 kHz
RR = 50 dB (標準) @ 2.5 V出力, IOUT = 10 mA, f = 100 kHz

（３）優れた負荷過渡応答特性

ΔVOUT = ±65 mV (標準) @ IOUT = 1 ⇔ 150 mA, COUT =1.0 μF

（４）低ドロップアウト特性

VIN-VOUT = 80 mV (標準) @ 2.5 V出力, IOUT = 100 mA

（５）出力固定タイプで1.2～3.6Vの範囲で50mVステップで設定可能

（６）出力電圧精度±1.0%

（７）過電流保護回路内蔵

（８）過熱保護回路内蔵

（９）超小型パッケージで省スペース化に貢献

ラインアップ
品番 ／ 出力電圧
TCR2DG12 ／ 1.2V
TCR2DG13 ／ 1.3V
TCR2DG15 ／ 1.5V
TCR2DG18 ／ 1.8V
TCR2DG25 ／ 2.5V
TCR2DG28 ／ 2.8V
TCR2DG30 ／ 3.0V
TCR2DG33 ／ 3.3V
TCR2DG36 ／ 3.6V
＊ ディスチャージ機能付き、上記以外の出力電圧等ご要望がありましたら、当社営業部までお問い合わせください。

製品の詳細はホームページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/linear/selection/topics/1264512_1929.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。


本資料に関するお問い合わせ先：
東芝セミコンダクター＆ストレージ社
高畑浩二
Tel:03-3457-3405
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel:03-3457-3411

パーマリンク：http://www.businesswire.com/news/home/20121205006791/ja