リチウムイオン電池保護回路や、各種携帯機器のパワーマネジメントスイッチ用に開発

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ）-- 当社は、リチウムイオン電池保護回路、各種携帯機器のパワーマネジメントスイッチ向けに、最新の第8世代プロセスを採用した低オン抵抗MOSFET「TPN2R503NC」を製品化し、量産を開始しました。また、当社既存製品の後継品として、「TPN4R203NC」と「TPN6R303NC」を製品化し、機器の小型・薄型化、高効率化に貢献するラインアップをそろえました。

応用機器

（１）リチウムイオン電池保護回路

（２）各種携帯機器のパワーマネジメントスイッチ

主な特長

（１）最新の第8世代プロセスを採用し、当社既存製品以上の低オン抵抗を実現。

（２）放熱特性に優れる「TSON Advance」パッケージを採用。

（３）高アバランシェ耐量を実現。

新製品の主な仕様

品番: TPN2R503NC
VDSS(V): 30
VGSS(V): ±20
RDS(ON): VGS=10V: Typ. 2.1
RDS(ON): VGS=10V: Max 2.5
(mΩ): VGS=4.5V: Typ.: 3.2
(mΩ): VGS=4.5V: Max: 4.1
パッケージ: TSON Advance

品番: TPN4R203NC
VDSS(V): 30
VGSS(V): ±20
RDS(ON): VGS=10V: Typ. 3.5
RDS(ON): VGS=10V: Max 4.2
(mΩ): VGS=4.5V: Typ.: 5.1
(mΩ): VGS=4.5V: Max: 6.4
パッケージ: TSON Advance

品番: TPN6R303NC
VDSS(V): 30
VGSS(V): ±20
RDS(ON): VGS=10V: Typ. 5.2
RDS(ON): VGS=10V: Max 6.3
(mΩ): VGS=4.5V: Typ.: 6.9
(mΩ): VGS=4.5V: Max: 8.4
パッケージ: TSON Advance

製品の詳細はホームページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/transistor/selection/topics/1265359_2006.html

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本資料に関するお問い合わせ先：
東芝 セミコンダクター＆ストレージ社
高畑浩二
Tel:03-3457-3405
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
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