2013年01月25日 19時39分
東芝セミコンダクター&ストレージ社

東芝 : 車載用低オン抵抗パワー MOSFET の新製品発売について

高速スイッチング用途に適した、「DPAK+」パッケージの製品を新たにラインアップ

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝は、車載用パワーMOSFETの新製品として、最新のトレンチMOSプロセスを使って低オン抵抗・低漏れ電流を実現した「TK100S04N1L」を製品化し、ラインアップに追加しました。
新製品は、最新のトレンチMOS第8世代プロセス「U-MOS VIII-H(ユーモス・エイト・エイチ)シリーズ」のチップと、Cu (銅) コネクタ接続構造の「DPAK+」パッケージの採用により、低オン抵抗を実現しました。車載用途の中でも特に高速スイッチングが求められるモータドライブやスイッチングレギュレータなどの用途に適している製品です。
現在評価用のサンプルを出荷中で、3月から量産を開始する予定です。

極性: Nch
品番: TK100S04N1L
ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V): 40
ドレイン電流 ID (A): 100
シリーズ: U-MOS VIII-H

-- 主な特長
1.低オン抵抗:RDS(ON) = 1.9mΩ(標準) (VGS=10V)
2.低漏れ電流: IDSS=10μA(最大) (VDS=定格電圧)
3.Cu コネクタ接続構造によって低オン抵抗を実現する「DPAK+」パッケージ
4.Tch = 175°C保証

新製品のさらに詳しい仕様については下記ページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/transistor/selection/topics/1268084_2006.html

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