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2012年12月21日 08時38分

東芝:携帯機器向け小型CMOS-LDOレギュレータの新製品発売について

東芝は、新世代の微細CMOSプロセスを活用し、ドロップアウト特性を大幅に改善したLDOレギュレータを製品化しました。 新製品は、1.0×1.0×0.6mmの超小型DFN4パッケージながら、140mV(標準)@ 3.0V、300mAの特性を実現し、高速負荷過渡応答回路、低ノイズ回路も搭載しています。
低ドロップアウト・シングル出力・300mA製品を2013年3月から量産開始

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝は、新世代の微細CMOSプロセスを活用し、ドロップアウト特性を大幅に改善したLDOレギュレータを製品化しました。 新製品は、1.0×1.0×0.6mmの超小型DFN4パッケージながら、140mV(標準)@ 3.0V、300mAの特性を実現し、高速負荷過渡応答回路、低ノイズ回路も搭載しています。基本機能の過電流保護、過熱保護、出力オートディスチャージの他、突入電流も抑制し、スマートフォンなどの小型携帯機器をはじめ、幅広いアプリケーションに推奨できる300mA出力LDOレギュレータです。現在評価サンプルを出荷中で、2013年3月から量産を開始する予定です。

応用機器
スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、ノートPC、デジカメ、デジタルビデオカメラなどの小型携帯機器


主な特長
(1)  低ドロップアウト電圧
VIN-VOUT = 140mV (標準) @3.0V出力、IOUT = 300mA
(2)  低出力雑音電圧
VNO = 38μVrms (標準) @2.5V出力、IOUT = 10mA, 10 Hz < f < 100kHz
(3)  出力固定タイプで1.0~4.5Vの範囲で50mVステップで設定可能
(4)  低バイアス電流 (IB=65μA (標準) @IOUT=0mA)
(5)  優れた負荷過渡応答特性
ΔVOUT = ±80mV (標準) @ at IOUT = 1 ⇔ 300mA, COUT =1.0μF
(6)  過電流保護
(7)  過熱保護
(8)  突入電流抑制
(9)  出力オートディスチャージ
(10)  コントロール端子プルダウン接続

ラインアップ
品番    出力電圧
TCR3DM10   1.0V
TCR3DM105   1.05V
TCR3DM12   1.2V
TCR3DM18   1.8V
TCR3DM25   2.5V
TCR3DM28   2.8V
TCR3DM30   3.0V
TCR3DM32   3.2V
TCR3DM33   3.3V
TCR3DM45   4.5V
*上記以外の出力電圧等ご要望がありましたら、当社営業部門までお問い合わせください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/profile/domestic/index.html

製品の詳細はホームページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/linear/selection/topics/1267632_1929.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部 Tel:03-3457-3411

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

連絡先

本資料に関するお問い合わせ先:
東芝セミコンダクター&ストレージ社
高畑浩二
Tel:03-3457-3405
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

パーマリンク: http://www.businesswire.com/news/home/20121220005414/ja/