AEROPRES

-40～125℃の幅広い動作温度範囲を実現し、インバータ回路のデッドタイムの削減、高効率化に貢献

東京--（ビジネスワイヤ）-- 東芝は、中容量のIGBTやパワーMOSFETを直接駆動できるDIP8パッケージのICカプラの新製品「TLP250H」を製品化し、２月から量産を開始します。新製品は、最大伝搬遅延時間500ns、フォトカプラ製品間の伝搬遅延スキュー150nsを動作温度範囲内で保証しており、インバータ回路のデッドタイムの削減、高効率化に貢献します。また、寿命特性の優れた新規LEDを採用しており、動作温度範囲も-40～125℃まで幅広く保証しています。さらに、動作電源電圧を従来品の15V(最小)から10V(最小)へ下げることによって、電源電圧低減による低消費電力化にも貢献します。熱環境の厳しい産業用機器や家庭用太陽光発電システム、デジタル家電、制御機器など、幅広い分野で使用することが可能です。

応用機器
IGBT/パワーMOSFETゲートドライバ、パワーコンディショナ、汎用インバータ、IH (Induction Heating) 機器、など。

主な特長
（１）動作電源電圧：VCC=10～30V
（２）伝搬遅延時間：tpLH, tpHL=500ns(最大)
（３）伝搬遅延スキュー：±150ns(最大)
（４）広い動作保証温度範囲：Topr=-40°C～125°C
（５）出力ピーク電流：IOP=±2.5A(最大)
（６）低入力電流：IFLH= 5mA(最大)
（７）絶縁耐圧：BVS=5000Vrms(最小)
（８）コモンモード除去電圧：CMR=±40kV/μs

製品の詳細は当社ホームページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/opto/selection/topics/1267682_1930.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
オプトデバイス営業推進部 Tel:03-3457-3431

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本資料に関するお問い合わせ先：
東芝セミコンダクター＆ストレージ社
高畑浩二
Tel:03-3457-3405
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp


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キーワード

IGBT パワーMOSFET DIP8パッケージ ゲートドライブカプラ 東芝セミコンダクター＆ストレージ社 TLP250H